炭化けい素(SiC)の硬さは新モース硬度で表すと13で、ダイヤモンド（新モース硬度15）、炭化ホウ素（新モース硬度14）に次いで地球上で3番目に硬い化合物です。

炭化けい素(SiC)は熱伝導率が高く（熱を伝えやすく）、また、熱膨張率が低い（熱による体積変化がすくない）為、熱衝撃にはとても高い耐性を持っています。

炭化けい素(SiC)は粒状の場合、700℃以上で酸化が始まるといわれており、その酸化物（SiO2）がSiCの表面を覆い、酸化に対し保護膜となる為、酸化が抑制されます。

炭化けい素(SiC)は熱安定性が強く、大気圧下では溶融することは出来ません。分解温度は約2545度で極めて優れた耐熱性を有しています。

炭化けい素(SiC)は極めて安定した化合物で、酸やアルカリにも侵されにくく、とても優れた耐薬品性を有しています。

炭化けい素(SiC)は半導体の性質を有し、電気抵抗が発熱体として使用できる低抵抗領域から絶縁体に近い領域まで変化します。